- Semiconductor tipo P
- Un Semiconductor tipo P se obtiene llevando a cabo un proceso de dopado, añadiendo un cierto tipo de átomos al semiconductor para poder aumentar el número de portadores de carga libres (en este caso positivos). Cuando el material dopante es añadido, éste libera los electrones mas débilmente vinculados de los átomos del semiconductor. Este agente dopante es también conocido como material aceptor y los átomos del semiconductor que han perdido un electrón son conocidos como huecos. El propósito del dopaje tipo P es el de crear abundancia de huecos. En el caso del silicio, un átomo trivalente (típicamente del grupo IIIA de la tabla periódica, tales como el boro (B), el aluminio (Al), el Galio (Ga) o el Indio (In)) es sustituido dentro de la red cristalina. El resultado es la falta de uno de los cuatro electrones del enlace covalente de la red cristalina del silicio. De esta manera, el átomo dopante puede aceptar un electrón provinente de los enlaces covalentes de los átomos vecinos, completando así sus cuatro enlaces. Así los dopantes crean los "huecos". Cada hueco está asociado con un ión cercano cargado negativamente, por lo que el semiconductor se mantiene eléctricamente neutro en general. No obstante, cuando cada hueco se ha desplazado por la red, un protón del átomo situado en la posición del hueco se ve "expuesto" y en breve se ve equilibrado por un electrón. Por esta razón un hueco se comporta como una cierta carga positiva. Cuando un número suficiente de aceptores son añadidos, los huecos superan ampliamente la excitación térmica de los electrones. Así, los huecos son los portadores mayoritarios, mientras que los electrones son los portadores minoritarios en los materiales tipo P. Los diamantes azules (tipo IIb), que contienen impurezas de boro (B), son un ejemplo de un semiconductor tipo P que se produce de manera natural.
Enciclopedia Universal. 2012.
